FQB5N60C |
RFQ for FQB5N60C |
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| Technical/Catalog Information | FQB5N60CTM |
| Vendor | Fairchild Semiconductor |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Surface Mount |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V |
| Power - Max | 3.13W |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Package / Case | D²Pak, SMD-220, TO-263 (2 leads + tab) |
| FET Feature | Standard |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | FQB5N60CTM FQB5N60CTM |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| FQB5N60C | - | TO-263 | `06+(pb-free) |
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.
Features |
| • 4.5A, 600V, RDS(on) = 2.5Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 15 nC)• Low Crss ( typical 6.5 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability |
| Symbol | Parameter |
FQB5N60C / FQI5N60C |
Units | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VDSS | Drain-Source Voltage |
600 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ID | Drain Current - Continuous (TC = 25°C) - Continuous (TC = 100°C) |
4.5 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2.6 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDM | Drain Current - Pulsed (Note 1) |
18 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VGSS | Gate-Source Voltage |
±30 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAS | Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2) |
210 |
mJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IAR | Avalanche Current (Note 1) |
4.5 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAR | Repetitive Avalanche Energy (Note 1) |
10 |
mJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| dv/dt | Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) |
4.5 |
V/ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD | Power Dissipation (TA = 25°C) * |
3.13 |
W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Power Dissipation (TC = 25°C) - Derate above 25°C |
100 |
W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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0.8 |
W/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TJ, TSTG | Operating and Storage Temperature
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